500R14W104KV4T datasheet

500R14W104KV4T datasheet скачать даташит

Сообщить об ошибке

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

Маркировка

500R14W104KV4T
Производитель

Johanson Dielectrics
Описание

Johanson Dielectrics 500R14W104KV4T Applications: General Purpose Capacitance: 0.1?µF Features: Low ESR Lead Spacing: - Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55?°C ~ 125?°C Package / Case: 0603 (1608 Metric) Ratings: - Series: - Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) Temperature Coefficient: X7R Thickness: 0.89mm Max Tolerance: ?±10% Voltage - Rated: 50V Other Names: 709-1161-2
Количество страниц

2 шт.
Формат

PDF
(Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
Размер файла

32,20 KB

500R14W104KV4T datasheet скачать

500R14W104KV4T datasheet

Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Сообщить об ошибке

Новости электроники

<p>На конференции Embedded Vision Summit компания DeepX представила свои чипы первого поколения, разработанные для обработки ИИ на устройствах и автономной робототехники. Компания также намекнула на будущие разработки, направленные на поддержку моделей-трансформеров в следующем поколении оборудования, что обещает существенно улучшить возможности обработки данных на устройствах в реальном времени.</p>

DeepX готовится расширить поддержку трансформеров в чипах следующего поколения

15.10.2024

<p>С учетом растущего спроса на высокопроизводительные NAND-накопители и сверхбыстрые DRAM-чипы, обусловленного развитием искусственного интеллекта (ИИ) и анализа больших данных, компания SK hynix Inc. анонсировала новый SSD-накопитель PEB110 E1.S (PEB110), специально разработанный для центров обработки данных. Этот накопитель обеспечивает значительное увеличение производительности и энергоэффективности благодаря внедрению технологии PCIe пятого поколения (Gen5).</p>

SK hynix представляет твердотельные накопители с удвоенной производительностью для центров обработки данных

07.10.2024

<p>Компания Infineon Technologies AG стала первопроходцем в разработке первой в мире технологии производства мощных 300-миллиметровых пластин на основе нитрида галлия (GaN), что знаменует собой значительный шаг вперед в полупроводниковой индустрии. Этот технологический прорыв открывает новые возможности для массового производства силовых полупроводников, необходимых для широкого спектра приложений.</p>

Infineon представила первую в мире 300-миллиметровую мощную GaN-технологию

06.10.2024

Еще новости

Золотая осень в ТМ Электроникс

Электрофорум - Темы электроснабжение, защита, заземление, автоматика, электроника и другое.

Электрофорум

Темы электроснабжение, защита, заземление, автоматика, электроника и другое.

electroforum.su

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.